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先进的技术是根本,依靠小芯片、堆叠技术,救不了中国的核心

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众所周知,目前中国芯受到了影响美国的全方面进行打压,涉及到信息技术、设备、材料、资金、人才管理等等这些方面。在这种情况下,先进技术的进步是非常有限的。毕竟,先进的技术高度依赖于国外的设备、技术,如 EUV 光刻机等。在当前形势下,先进技术的突破需要国内半导体产业的突破,例如国产超紫外线光刻机等全套国产设备的供应,只有这样才能帮助中国芯片行业打破或缓解“咽喉”问题。在这样的情况下,很多人说,那我们可

众所周知,目前中国芯受到了影响美国的全方面进行打压,涉及到信息技术、设备、材料、资金、人才管理等等这些方面。

在这种情况下,先进技术的进步是非常有限的。毕竟,先进的技术高度依赖于国外的设备、技术,如 EUV 光刻机等。

在当前形势下,先进技术的突破需要国内半导体产业的突破,例如国产超紫外线光刻机等全套国产设备的供应,只有这样才能帮助中国芯片行业打破或缓解“咽喉”问题。

在这样的情况下,很多人说,那我们可以利用小芯片技术,芯片堆叠等技术,集成不太先进的芯片,最终实现先进技术的性能,从而解决先进技术的问题。

理论上分析来看,确实是一个这样,比如我用2颗14nm的芯片进行堆叠,也许我们确实可以能够获得媲美7nm的芯片,用2颗7nm的芯片,也许他们能够媲美5nm,甚至3nm的芯片(不一定需要准确,随便学生说的)。

当然,小芯片技术更强大,通过封装技术,将不同工艺、不同类型的芯片封装成一个芯片,以实现功能更强、性能更高。

但是,你有没有想过,即使两个7nm 芯片封装在一起,要达到3NM 芯片的性能,功耗怎么办?那发烧呢?两个7nm 芯片,功耗和加热,可能是一个3nm 芯片 n 倍。

更重要的是,如果你用两个7nm芯片堆叠,别人不会用两个3nm芯片堆叠吗?堆叠芯片工艺越先进,性能越高,堆叠后性能差距越大。

当你还在用14nm工艺来堆叠,别人用3nm芯片来堆叠了,性能发展差距问题就是通过几何学习倍数增长了,拉得到了更大了。

因此,先进的技术不能通过任何小芯片技术、堆叠技术来规避,不能通过这些技术来规避,不能弥补先进的技术。

我们只能说,当目前的先进技术被阻塞时,我们可以利用小芯片和堆栈技术来暂时提高芯片的性能。最终,我们将不得不回到先进技术的研究和发展上来。在弯道上没有变道可以超车或超车。


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